H31年度 半導体物性特論(材料)   Physics and Chemistry of Semiconductors

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開講元
材料コース
担当教員名
真島 豊  平松 秀典 
授業形態
講義
曜日・時限(講義室)
火1-2(J234)  金1-2(J234)  
クラス
-
科目コード
MAT.C404
単位数
2
開講年度
H31年度
開講クォーター
3Q
シラバス更新日
H31年9月12日
講義資料更新日
H31年9月11日
使用言語
日本語
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講義の概要とねらい

 材料研究者にとって必須な半導体理論を、しっかりとした物理基盤から、材料研究に必要な直観的な理解までを含めた講義を行う。そこで前半5回では、半導体の電子構造の基礎から、半導体のドーピング、フェルミ準位と統計分布関数からPN接合までを取り扱い、中盤5回では、太陽電池、発光ダイオード、電界効果トランジスタなどの半導体デバイスの動作原理の理解を中心に取り扱う。そして、後半5回では、半導体の材料設計のために必要不可欠な電子構造に関して、いくつかのテーマを例としてあげ、実際の研究に役立つよう解説する。
 本講義のねらいは、材料研究者が半導体材料の研究を進めるにあたり基盤となる、半導体の理論・デバイス・電子構造の素養を身につけることにある。

到達目標

【到達目標】 本講義を履修することによって、材料研究者として必須な半導体物性に関する考え方を身につけることができるようになることを到達目標とする。
【テーマ】 材料科学の立場から半導体物性・デバイス・半導体材料設計のエッセンスを概説する。半導体物性物理の詳細を学ぶよりもむしろ、物質科学・材料科学の視点から、身近な電子デバイスの動作原理、構造、評価方法が理解・習得させるよう心がける。そこで、履修に必要な他の関連科目の修得条件は特に設けない。

キーワード

半導体物性、半導体デバイス、新奇半導体創製

学生が身につける力

国際的教養力 コミュニケーション力 専門力 課題設定力 実践力または解決力
- -

授業の進め方

トピックスは毎回異なります。演習を行います。

授業計画・課題

  授業計画 課題
第1回 半導体の電子構造 半導体の電子構造について学ぶ
第2回 状態密度関数、フェルミ準位 状態密度関数とフェルミ準位について学ぶ
第3回 周期構造中の電子、有効質量 結晶中の電子の振る舞い、有効質量について学ぶ
第4回 ドーピング 半導体のドーピングについて学ぶ
第5回 ドリフトと拡散 電荷輸送機構としてのドリフトと拡散について学ぶ
第6回 少数キャリア連続の方程式 少数キャリア連続の方程式について学ぶ
第7回 PN接合 PN接合の成り立ちについて学ぶ
第8回 半導体デバイスの概要 半導体デバイスの概要について学ぶ
第9回 発光ダイオード 発光ダイオードについて学ぶ
第10回 フォトダイオード、太陽電池 フォトダイオード、太陽電池について学ぶ
第11回 バイポーラトランジスタ/電界効果型トランジスタ バイポーラトランジスタ、電界効果型トランジスタについて学ぶ
第12回 光電子分光とその利用 光電子分光とその利用法について学ぶ
第13回 バンドラインナップの重要性 バンドラインナップについて学ぶ
第14回 半導体の材料設計 I 半導体の材料設計を学ぶ I
第15回 半導体の材料設計 II 半導体の材料設計を学ぶ II

教科書

以下の参考書のいずれかを参照のこと。

参考書、講義資料等

「半導体の電子物性工学」(裳華房)

成績評価の基準及び方法

半導体物性、デバイス、半導体材料設計に関する理解度を評価する。レポート(100%)で成績を評価する。

関連する科目

  • MAT.A201 : 電気学
  • MAT.C203 : 統計力学(C)
  • MAT.C202 : 結晶とフォノン
  • MAT.C305 : 半導体材料及びデバイス
  • MAT.C306 : 誘電体材料科学
  • MAT.C310 : 材料数理科学
  • MAT.C402 : 量子光物性特論
  • MAT.C414 : 固体科学入門
  • MAT.C507 : 先端デバイス特論

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

履修条件は特に設けないが,関連する科目を履修していることが望ましい。

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