更新日：2010年7月17日
アクセス指標：
前期 / 推奨学期：5
- 講義概要
- I 半導体デバイスの基本を学ぶ。半導体の物性を基礎にしてデバイス機能を得るための仕掛け（動作原理），回路内に組み込まれた時に発揮される特性を理解する。さらには「デバイスとは何か？」を考える。
II トランジスタの機能，MOSFETとバイポーラトランジスタ（動作原理，直流動作，動作速度，性能指数，等価回路モデル，スケーリングなど），その他の電子デバイス。 - 講義の目的
- 半導体デバイスの基本を学ぶ。
半導体の物性を基礎にしてデバイス機能を得るための仕掛け（動作原理），回路内に組み込まれた時に発揮される特性を理解する。
さらには「デバイスとは何か？」を考える。 - 講義計画
- 01. トランジスタの増幅とはなにか／MOSFETの概略と反転層
02. MOSFET：ピンチオフの概念・直流特性
03. MOSFET：インバータと高速動作
04. MOSFET：しきい値電圧
05. MOSFET：スケーリング
06. 中間試験
07. バイポーラトランジスタ：pn接合におけるキャリアの挙動
08. バイポーラトランジスタ：動作原理，ベース電流とコレクタ電流
09. バイポーラトランジスタ：等価回路モデル
10. バイポーラトランジスタ：コレクタの設計
11. バイポーラトランジスタ：動作速度を決める要因
12. その他のデバイス：パワーデバイス
13. その他のデバイス：JFET・MESFET・CCD
14. その他のデバイス：ヘテロ接合とHEMT・HBT - 教科書・参考書等
- 宮本恭幸 『電子デバイス』 培風館
- 関連科目・履修の条件等
- 線形回路，半導体物性の履修を前提に講義を行う。
- 成績評価
- 中間試験：約45％，期末試験：約45％，宿題：約10％
- 担当教員の一言
- バンド構造図を常に頭に描きながら，半導体中を電子と正孔がどのように動き，どのように増幅作用等が現れるのかを理解して下さい。
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miya@pe.titech.ac.jp - その他
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