国立大学法人 東京工業大学

講義の概要とねらい

酸化物薄膜合成および酸化物単結晶育成のプロセスを教授する。薄膜合成では、気相成長法を中心に薄膜合成法の紹介と得られた薄膜の評価法について説明する。単結晶合成では、結晶成長の基礎理論を説明した後に、実際の単結晶成長について説明する。さらに、結晶欠陥についても説明する。

到達目標

本講義を履修することによって次の能力を修得する。
1) 気相からの薄膜合成プロセスの基礎を理解する。
2) PVD法、CVD法の特徴と製膜方法の理解を深める。
3) 作製した薄膜の評価方法の概要を理解する。
4) 液相からの単結晶合成プロセスの基礎を理解する。
5) バルク単結晶育成の種類と特長の理解を深める。
6) 結晶欠陥の種類と生成機構を理解する。

キーワード

薄膜、PVD、CVD、エピタキシャル薄膜、薄膜成長機構、核生成、結晶成長、駆動力、結晶成長速度、状態図、結晶欠陥

学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)

授業の進め方

講義は薄膜合成と単結晶合成に分かれて行う。適宜、家庭学習課題を課し、授業では小テストを行うことがある。

授業計画・課題

授業時間外学修（予習・復習等）

学修効果を上げるため，教科書や配布資料等の該当箇所を参照し，「毎授業」授業内容に関する予習と復習（課題含む）をそれぞれ概ね100分を目安に行うこと。

教科書

指定なし

参考書、講義資料等

講義資料は適宜、授業中に配布する。
参考書：
黒田登志雄著『結晶は生きている -その成長と形の変化のしくみ-』サイエンス社 (1989)
日本結晶成長学会編『結晶成長ハンドブック』共立出版 (1995)
Milton Ohring著『The Materials Science of Thin Films』Academic Press (2002)
S. Wolf and R.N. Tauber『Silicon processing for the VLSI Era: Vol.1-Process Technology』Lattice Press(1999)

成績評価の基準及び方法

配点は期末試験、演習、レポート点で総合評価する。

関連する科目

• MAT.C206 ： セラミックスプロセシング

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

履修条件は特に設けない。