2016年度 薄膜・単結晶プロセシング   Fundamentals of Single Crystal and Thin Film Processing

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開講元
材料系
担当教員名
篠﨑 和夫  JOHN DAVID BANIECKI 
授業形態
講義     
メディア利用科目
曜日・時限(講義室)
月7-8(S7-202)  木7-8(S7-202)  
クラス
-
科目コード
MAT.C315
単位数
2
開講年度
2016年度
開講クォーター
3Q
シラバス更新日
2016年4月27日
講義資料更新日
2016年11月14日
使用言語
日本語
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講義

第1回 授業概要、単結晶概論:単結晶の種類と用途、単結晶の作り方 I

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第2回 (英語授業)真空化学と真空技術

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第3回 (英語授業)PVDプロセス (I)

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第4回 (英語授業)PVDプロセス (II)

2016年10月06日(木) 7-8時限開講

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第5回 (英語授業)CVDプロセス (I)

2016年10月13日(木) 7-8時限開講

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第6回 (英語授業)CVDプロセス(II)

2016年10月17日(月) 7-8時限開講

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第7回 (英語授業)薄膜成長と構造 (II)

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第9回 (英語授業)薄膜の化学的評価 (II)

2016年10月27日(木) 7-8時限開講

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第10回 (英語授業)口頭発表

2016年10月31日(月) 7-8時限開講

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第11回 単結晶概論:単結晶の作り方 II

2016年11月03日(木) 7-8時限開講

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第12回 結晶成長理論 I:結晶とは、結晶成長の駆動力、核生成

2016年11月07日(月) 7-8時限開講

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第13回 結晶成長理論 II:結晶成長速度、吸着

2016年11月10日(木) 7-8時限開講

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第14回 結晶成長理論 III:結晶成長の機構、結晶平衡形、成長形

2016年11月14日(月) 7-8時限開講

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第15回 結晶成長と状態図:いくつかの状態図を例にして

2016年11月17日(木) 7-8時限開講

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