2020年度 VLSI工学第一   VLSI Technology I

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開講元
電気電子コース
担当教員名
若林 整  角嶋 邦之 
授業形態
講義
メディア利用
Zoom
曜日・時限(講義室)
月1-2(G221)  木1-2(G221)  
クラス
-
科目コード
EEE.C441
単位数
2
開講年度
2020年度
開講クォーター
1Q
シラバス更新日
2020年4月28日
講義資料更新日
-
使用言語
英語
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講義の概要とねらい

現代社会を根底で支える大規模集積回路(VLSI)技術について理解しておくことはとても重要です。そこでVLSI工学第二と連動して、具体的にはCMOS集積回路の構造,スケーリング技術、微細化技術(露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術等)、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術、などを総合的に理解することを進めます。

到達目標

本講義を履修することによって,現代社会を支える大規模集積回路について理解を進めることを到達目標とします。さらに,実際の集積回路設計に応用できるようになることを目標とします。

実務経験のある教員等による授業科目等

該当する 実務経験と講義内容との関連(又は実践的教育内容)
本講義の半分は、集積回路向けデバイス技術領域において、
複数企業で20年の実務経験を持つ教育担当教員がその実務経験を活かし、
VLSI工学について基礎と応用に関する教育を行う。

キーワード

大規模集積回路(VLSI)技術、CMOS集積回路、スケーリング技術、微細化技術、露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術等

学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)

専門力 教養力 コミュニケーション力 展開力(探究力又は設定力) 展開力(実践力又は解決力)

授業の進め方

Zoom講義

授業計画・課題

  授業計画 課題
第1回 CMOS集積回路とインバータ MOSFET, CMOS, インバータについて理解を進めます。
第2回 論理回路 論理回路について理解を進めます。
第3回 メモリデバイス技術(SRAM, DRAM) メモリデバイス技術(SRAM, DRAM)について理解を進めます。
第4回 メモリデバイス技術(Flash and others) メモリデバイス技術(Flash and others)について理解を進めます。
第5回 センサーデバイス技術(アクチュエータデバイス技術) センサーデバイス技術(アクチュエータデバイス技術)について理解を進めます。
第6回 増幅回路、(差動増幅) 増幅回路、(差動増幅)について理解を進めます。
第7回 低消費電力回路 低消費電力回路について理解を進めます。
第8回 製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術) 製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術)について理解を進めます。
第9回 成膜技術、エッチング技術 成膜技術、エッチング技術について理解を進めます。
第10回 微細化技術(露光技術) 微細化技術(露光技術)について理解を進めます。
第11回 イオン注入技術、ウェット技術、CMP技術外 イオン注入技術について理解を進めます。 ウェット技術、CMP技術外について理解を進めます。
第12回 配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術 配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術について理解を進めます。
第13回 レイアウト設計、テスト・歩留まり・信頼性 レイアウト設計、テスト・歩留まり・信頼性について理解を進めます。
第14回 最新デバイス解析に関するグループ発表 最新デバイス解析に関するグループ発表を行います。

教科書

・タウア・ニン 最新VLSIの基礎、第2版、芝原健太郎、宮本恭幸、内田建監訳、丸善出版

参考書、講義資料等

OCW/OCW-iにアップロードされたものを参照

成績評価の基準及び方法

試験は行わず、最後にレポートを提出

関連する科目

  • EEE.C341 : 集積回路工学
  • ICT.I303 : 集積回路設計
  • ZUS.L201 : 基礎集積回路

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

なし

連絡先(メール、電話番号)    ※”[at]”を”@”(半角)に変換してください。

若林整(wakabayashi.h.ab[at]m.titech.ac.jp)
角嶋邦之(kakushima.k.aa[at]m.titech.ac.jp)

その他

なし

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