- 開講元
- 電気電子コース
- 授業形態
- 講義
- メディア利用科目
- 曜日・時限(講義室)
- -
- クラス
- -
- 科目コード
- EEE.D452
- 単位数
- 3
- 開講年度
- 2019年度
- 開講クォーター
- 2Q
- シラバス更新日
- 2019年5月20日
- 講義資料更新日
- -
- 使用言語
- 英語
- アクセスランキング
-
media
講義の概要とねらい
半導体デバイスは無線通信システムの基幹技術であり、精力的に研究開発が行われている。本講義では半導体デバイスの基礎から応用までの内容を扱う。
到達目標
本講義を受講することで、半導体デバイスの基礎から新しい応用まで理解することができる。
キーワード
半導体デバイス、パワーデバイス、高周波デバイス、化合物デバイス、バイオチップ
学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)
| ✔ 専門力 | 教養力 | コミュニケーション力 | 展開力(探究力又は設定力) | ✔ 展開力(実践力又は解決力) |
授業の進め方
講義はデバイスとその応用に関する世界トップの講師陣を招聘して行う。本講義は国立交通大学(台湾)で開講する。
授業計画・課題
| 授業計画 | 課題 | |
|---|---|---|
| 第1回 | 講義紹介 | 半導体デバイスの応用の紹介 |
| 第2回 | 化合物半導体の新しい高周波応用(I) | HEMT構造、InAs/InPデバイス |
| 第3回 | 化合物半導体の新しい高周波応用(II) | 寄生成分低減技術、パラメータ抽出とモデリング |
| 第4回 | 半導体デバイスのバイオ・医療応用(I) | 末梢血循環腫瘍細胞、細胞除去法 |
| 第5回 | 半導体デバイスのバイオ・医療応用(II) | 生検と治療、マイクロ流体 |
| 第6回 | 3D-ICのデザインと実装 | アナログ回路の非理想効果、3D-IC実装 |
| 第7回 | 新メモリ(I) | RAM、メモリの歴史 |
| 第8回 | 新メモリ(II) | SRAM、DRAM、不揮発メモリ |
| 第9回 | GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(I) | |
| 第10回 | GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(II) | GaNデバイスの実装技術 |
| 第11回 | GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(III) | GaNデバイスの電気特性と信頼性 |
| 第12回 | GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(IV) | GaNのマイクロとテラヘルツデバイス |
| 第13回 | GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(V) | パワースイッチングデバイス |
| 第14回 | GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(VI) | 新ワイドバンドギャップデバイス、将来のテーマ |
| 第15回 | VLSI技術(I) | ロジックLSIの産業レビューとベンチマーク |
| 第16回 | VLSI技術(II) | システムLSIの先端技術 |
| 第17回 | MOS界面とショットキー界面(I) | デバイススケーリング、界面準位密度、high-kゲート絶縁膜 |
| 第18回 | MOS界面とショットキー界面(II) | 金属/半導体界面、シリサイド、理想係数 |
| 第19回 | パワーデバイス: pnダイオード、サイリスタ、MOSFET, IGBT, WBG(I) | パワーダイオード、パワートランジスタ |
| 第20回 | パワーデバイス: pnダイオード、サイリスタ、MOSFET, IGBT, WBG(II) | SiC、ダイヤモンドデバイス |
| 第21回 | 半導体製造プロセス | リソグラフィー、スケーリング |
| 第22回 | バイポーラと化合物半導体デバイス | バイポーラトランジスタ、マイクロ波トランジスタ |
教科書
なし
参考書、講義資料等
Ed. S. Deleonibus, “Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication - Materials, Techniques, and New Opportunities”, Pan Stanford Publishing, ISBN: 9789814774222
成績評価の基準及び方法
授業出席(50%)および、期末テスト(50%)で評価する。
関連する科目
- EEE.C201 ： 電気回路第一
- EEE.E211 ： 波動工学
- EEE.D211 ： 半導体物性
履修の条件(知識・技能・履修済科目等)
電気回路、電磁気、半導体デバイス
