2019年度 半導体デバイスと応用特論   Special Topics on Semiconductor Devices and Applications

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開講元
電気電子コース
担当教員名
若林 整  角嶋 邦之  宮本 恭幸  波多野 睦子  Chun-Hsiung Lin  Po-Tsang Huang  Chung-Er Huang  Heng-Tung Hsu  Hans-Joachim Wurfl 
授業形態
講義
曜日・時限(講義室)
-
クラス
-
科目コード
EEE.D452
単位数
3
開講年度
2019年度
開講クォーター
2Q
シラバス更新日
2019年5月20日
講義資料更新日
-
使用言語
英語
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講義の概要とねらい

半導体デバイスは無線通信システムの基幹技術であり、精力的に研究開発が行われている。本講義では半導体デバイスの基礎から応用までの内容を扱う。

到達目標

本講義を受講することで、半導体デバイスの基礎から新しい応用まで理解することができる。

キーワード

半導体デバイス、パワーデバイス、高周波デバイス、化合物デバイス、バイオチップ

学生が身につける力

国際的教養力 コミュニケーション力 専門力 課題設定力 実践力または解決力
- - -

授業の進め方

講義はデバイスとその応用に関する世界トップの講師陣を招聘して行う。本講義は国立交通大学(台湾)で開講する。

授業計画・課題

  授業計画 課題
第1回 講義紹介 半導体デバイスの応用の紹介
第2回 化合物半導体の新しい高周波応用(I) HEMT構造、InAs/InPデバイス
第3回 化合物半導体の新しい高周波応用(II) 寄生成分低減技術、パラメータ抽出とモデリング
第4回 半導体デバイスのバイオ・医療応用(I) 末梢血循環腫瘍細胞、細胞除去法
第5回 半導体デバイスのバイオ・医療応用(II) 生検と治療、マイクロ流体
第6回 3D-ICのデザインと実装 アナログ回路の非理想効果、3D-IC実装
第7回 新メモリ(I) RAM、メモリの歴史
第8回 新メモリ(II) SRAM、DRAM、不揮発メモリ
第9回 GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(I)
第10回 GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(II) GaNデバイスの実装技術
第11回 GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(III) GaNデバイスの電気特性と信頼性
第12回 GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(IV) GaNのマイクロとテラヘルツデバイス
第13回 GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(V) パワースイッチングデバイス
第14回 GaNデバイスとパワーエレクトロニクス応用(VI) 新ワイドバンドギャップデバイス、将来のテーマ
第15回 VLSI技術(I) ロジックLSIの産業レビューとベンチマーク
第16回 VLSI技術(II) システムLSIの先端技術
第17回 MOS界面とショットキー界面(I) デバイススケーリング、界面準位密度、high-kゲート絶縁膜
第18回 MOS界面とショットキー界面(II) 金属/半導体界面、シリサイド、理想係数
第19回 パワーデバイス: pnダイオード、サイリスタ、MOSFET, IGBT, WBG(I) パワーダイオード、パワートランジスタ
第20回 パワーデバイス: pnダイオード、サイリスタ、MOSFET, IGBT, WBG(II) SiC、ダイヤモンドデバイス
第21回 半導体製造プロセス リソグラフィー、スケーリング
第22回 バイポーラと化合物半導体デバイス バイポーラトランジスタ、マイクロ波トランジスタ

教科書

なし

参考書、講義資料等

Ed. S. Deleonibus, “Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication - Materials, Techniques, and New Opportunities”, Pan Stanford Publishing, ISBN: 9789814774222

成績評価の基準及び方法

授業出席(50%)および、期末テスト(50%)で評価する。

関連する科目

  • EEE.C201 : 電気回路第一
  • EEE.E211 : 波動工学
  • EEE.D211 : 半導体物性

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

電気回路、電磁気、半導体デバイス

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