2019年度 VLSI工学第一   VLSI Technology I

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開講元
電気電子コース
担当教員名
若林 整  角嶋 邦之 
授業形態
講義
曜日・時限(講義室)
月1-2(G221)  木1-2(G221)  
クラス
-
科目コード
EEE.C441
単位数
2
開講年度
2019年度
開講クォーター
1Q
シラバス更新日
2019年3月24日
講義資料更新日
-
使用言語
日本語
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講義の概要とねらい

現代社会を根底で支える大規模集積回路(VLSI)技術について理解しておくことはとても重要です。そこでVLSI工学第二と連動して、具体的にはCMOS集積回路の構造,スケーリング技術、微細化技術(露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術等)、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術、などを総合的に理解することを進めます。

到達目標

本講義を履修することによって,現代社会を支える大規模集積回路について理解を進めることを到達目標とします。さらに,実際の集積回路設計に応用できるようになることを目標とします。

キーワード

大規模集積回路(VLSI)技術、CMOS集積回路、スケーリング技術、微細化技術、露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術等

学生が身につける力

国際的教養力 コミュニケーション力 専門力 課題設定力 実践力または解決力
- - - -

授業の進め方

講義

授業計画・課題

  授業計画 課題
第1回 大規模集積回路(VLSI)産業と技術の概要 大規模集積回路(VLSI)産業と技術の概要について理解を進めます。
第2回 CMOS集積回路とインバータ MOSFET, CMOS, インバータについて理解を進めます。
第3回 論理回路、低消費電力回路 論理回路、低消費電力回路について理解を進めます。
第4回 増幅回路、差動増幅 増幅回路、差動増幅について理解を進めます。
第5回 製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術) 製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術)について理解を進めます。
第6回 微細化技術(露光技術) 微細化技術(露光技術)について理解を進めます。
第7回 成膜技術、エッチング技術 成膜技術、エッチング技術について理解を進めます。
第8回 イオン注入技術 イオン注入技術について理解を進めます。
第9回 ウェット技術、CMP技術外 ウェット技術、CMP技術外について理解を進めます。
第10回 配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術 配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術について理解を進めます。
第11回 メモリデバイス技術 メモリデバイス技術について理解を進めます。
第12回 センサーデバイス技術、アクチュエータデバイス技術 センサーデバイス技術、アクチュエータデバイス技術について理解を進めます。
第13回 レイアウト設計 レイアウト設計について理解を進めます。
第14回 新構造FET、最新動向・将来動向 新構造FET、最新動向・将来動向について理解を進めます。
第15回 テスト・歩留まり・信頼性、VLSI工学第二への導入 テスト・歩留まり・信頼性について理解を進め、VLSI工学第二への導入を行います。

教科書

・タウア・ニン 最新VLSIの基礎、第2版、芝原健太郎、宮本恭幸、内田建監訳、丸善出版

参考書、講義資料等

OCW/OCW-iにアップロードされたものを各自印刷

成績評価の基準及び方法

試験は行わず、最後にレポートを提出

関連する科目

  • EEE.C341 : 集積回路工学
  • ICT.I303 : 集積回路設計
  • ZUS.L201 : 基礎集積回路

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

なし

連絡先(メール、電話番号)    ※”[at]”を”@”(半角)に変換してください。

若林整(wakabayashi.h.ab[at]m.titech.ac.jp)
角嶋邦之(kakushima.k.aa[at]m.titech.ac.jp)

その他

なし

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