- 開講元
- 電気電子コース
- 担当教員名
- 福田 浩一
- 授業形態
- 講義 / 演習
- メディア利用科目
- 曜日・時限(講義室)
- 集中講義等 3-6(S517)
- クラス
- -
- 科目コード
- EEE.D546
- 単位数
- 1
- 開講年度
- 2016年度
- 開講クォーター
- 3Q
- シラバス更新日
- 2016年9月23日
- 講義資料更新日
- 2016年11月4日
- 使用言語
- 日本語
- アクセスランキング
-
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講義の概要とねらい
半導体の研究に必須となる「半導体デバイスシミュレーション」を実際に操作しながら習得する。シミュレーションを通じて、半導体基本素子であるPN接合・MOSFETの動作を視覚的に理解する。簡単な課題実習を通じてデバイス設計にチャレンジする。各自の研究への活用法も議論する。
到達目標
半導体デバイスシミュレーションの基本操作を習得し、その内容を理解する
半導体基本素子であるPN接合・MOSFETの動作を、シミュレーションで内部の物理現象を見て、視覚的に理解しなおす。
課題実習を通じて半導体デバイス設計を体験する。
キーワード
半導体デバイスシミュレーション プロセスシミュレーション PN接合 MOSFET
学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)
| ✔ 専門力 | 教養力 | コミュニケーション力 | 展開力(探究力又は設定力) | ✔ 展開力(実践力又は解決力) |
授業の進め方
PC端末からLinuxサーバーを用いるが、簡単な使用法は実習中に行う。
授業計画・課題
| 授業計画 | 課題 | |
|---|---|---|
| 第1回 | 半導体プロセスシミュレーションの基礎(講義+実習) | |
| 第2回 | 半導体デバイスシミュレーションの基礎(講義+実習) | 授業後に簡単な課題を出します。製造プロセス条件を変え、その影響を理解します。 |
| 第3回 | PN接合のシミュレーション(実習) | |
| 第4回 | MOSFETのIV特性のシミュレーション(実習) | 授業後に簡単な課題を出します。デバイス構造を変え、その影響を理解します。 |
| 第5回 | MOSFETのシミュレーション、内部の電気的動作の理解(実習) | |
| 第6回 | 課題実習1。MOSFETの特性の向上を目指します | 課題実習が課題になります。MOSFETのトランジスタ設計の複雑さを理解します。 |
| 第7回 | 課題実習2、前回に引き続き同じ課題に取り組みます | |
| 第8回 | 発表会、MOSFETのデバイス設計の課題実習の成果を発表します |
教科書
講義ノートを配布する
参考書、講義資料等
講義ノートを配布する
成績評価の基準及び方法
ミニ課題 50% 課題実習 50%
関連する科目
- EEE.D211 ： 半導体物性
- EEE.D351 ： 電子デバイス第一
履修の条件(知識・技能・履修済科目等)
半導体の物理、PN接合及びMOSFETの動作の基本的な理解
