- 開講元
- 電気電子コース
- 授業形態
- 講義 (Zoom)
- メディア利用科目
- 曜日・時限(講義室)
- 木7-8(Zoom)
- クラス
- -
- 科目コード
- EEE.D442
- 単位数
- 1
- 開講年度
- 2020年度
- 開講クォーター
- 3Q
- シラバス更新日
- 2020年9月28日
- 講義資料更新日
- -
- 使用言語
- 英語
- アクセスランキング
-
media
講義の概要とねらい
電気電子工学や情報通信工学分野で不可欠である半導体メモリ技術について基本原理と実践的な利用法について概説する。具体には、半導体メモリに関して、構造や製造方法、設計技術、テスト技術、信頼性、パッケージ技術とその製造技術などを総合的に網羅する。
到達目標
【到達目標】 本講義を履修することにより、現在の電子産業を支える半導体メモリ技術について理解した上で、さらに実際の半導体メモリ設計に応用できるようになることを目標とする。
【テーマ】 本講義では、半導体メモリに関して、構造や製造方法、設計技術、テスト技術、信頼性、パッケージ技術とその製造技術などを総合的に理解し、その電気電子工学及び情報通信工学に応用するための基礎を築くことを目的とする。
対応する学修到達目標は、
(1) 【専門力】基盤的な専門力
(4) 【展開力】（探究力又は設定力）整理及び分析できる力
(7) 幅広い専門知識を習得し,より高度な専門分野や他分野に自ら学修を広げる力
実務経験のある教員等による授業科目等
| ✔ 該当する | 実務経験と講義内容との関連（又は実践的教育内容） |
|---|---|
| マイクロンメモリ ジャパン合同会社の社員の皆さんによる講義 |
キーワード
半導体メモリ、DRAM, NAND, TSV, 回路設計、デバイス技術、プロセス技術、半導体メモリ製造技術
学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)
| ✔ 専門力 | ✔ 教養力 | コミュニケーション力 | 展開力(探究力又は設定力) | ✔ 展開力(実践力又は解決力) |
授業の進め方
講師として半導体メモリ設計、デバイス・プロセス開発、製造工学に関する専門家を招き、オムニバス形式での講義およびレポートにより進める。
授業計画・課題
| 授業計画 | 課題 | |
|---|---|---|
| 第1回 | 概観：半導体メモリの技術・経済・産業の現在と発展する未来 | レポート |
| 第2回 | DRAM回路設計 | レポート |
| 第3回 | DRAMデバイス技術とチップ積層化技術 | レポート |
| 第4回 | 半導体プロセス技術 | レポート |
| 第5回 | NANDフラッシュ技術 | レポート |
| 第6回 | DRAM製造技術およびその工学 | レポート |
| 第7回 | ビッグデータを活用した半導体メモリの高度な製造技術 | レポート |
授業時間外学修（予習・復習等）
学修効果を上げるため，教科書や配布資料等の該当箇所を参照し，「毎授業」授業内容に関する 予習と復習（課題含む）をそれぞれ概ね100分を目安に行うこと。
教科書
なし
参考書、講義資料等
最新VLSIの基礎(タウア/ニン著、丸善出版; ISBN: 978-4621085813)
半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術(S.M. Sze著、産業図書; ISBN: 978-4782855508)
各回配布資料
成績評価の基準及び方法
各回で出題する計7回のレポート(100%)で評価する。
関連する科目
- EEE.C441 ： VLSI工学第一
- EEE.C442 ： VLSI工学第二
- EEE.D411 ： 半導体物性論
- EEE.D452 ： 半導体デバイスと応用特論
履修の条件(知識・技能・履修済科目等)
半導体デバイスと電子回路に関する学部講義を履修していることが望ましい。
その他
マイクロンメモリ ジャパン合同会社
第1回：青砥 なほみ；第2回：藤澤 宏樹；第3回：三笠 典章、内山 士郎；第4回：占部 耕児；第5回：合田 晃、田中 智晴；第6回：野坂 耕太；第7回：松橋 秀樹
