- 開講元
- 電気電子系
- 担当教員名
- 大見 俊一郎
- 授業形態
- 講義 (Zoom)
- メディア利用科目
- 曜日・時限(講義室)
- 火5-6(S223)
- クラス
- -
- 科目コード
- EEE.D391
- 単位数
- 1
- 開講年度
- 2020年度
- 開講クォーター
- 3Q
- シラバス更新日
- 2020年9月18日
- 講義資料更新日
- -
- 使用言語
- 日本語
- アクセスランキング
-
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講義の概要とねらい
半導体デバイスの高速化実現を可能にするための微細デバイス作製のプロセス技術について，その原理と限界を示す。
狙いとしては、まず横方向・縦方向の微細化の両方が高速化に必須であることを理解させた後で、リソグラフィを中心に、最新の技術までの概要を学ぶ。
その後、拡散層、エッチングと酸化プロセス、成膜、配線について学ぶ。
到達目標
【到達目標】電子回路を安価に・高速にした集積回路を作り出した半導体プロセスの概略を理解するとともに、さらなる高密度化・高速化にむけての指針を理解することを到達目標とする。MOSFETの基本知識からスケーリングに基づいた微細化には、どのような手法が使われているかをも理解する。
【テーマ】 微細化と電子デバイス、光露光、RET(Resolution enhancement technology)、ダブルパターンニング、電子ビーム露光、レジスト、EUV(極端紫外線）,NGL(次世代リソグラフィ)、不純物拡散、イオン注入、エッチング、酸化プロセス、High-k絶縁膜、コンタクト抵抗、配線、SOI(Silicon on Insulator)、TSV(Si貫通電極)
キーワード
リソグラフィ、拡散層、エッチング、酸化プロセス、成膜、配線
学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)
| 専門力 | 教養力 | コミュニケーション力 | ✔ 展開力(探究力又は設定力) | 展開力(実践力又は解決力) |
| ✔ ・電気電子分野の応用専門力 | ||||
授業の進め方
知識量が多いため、簡単な演習を適宜行う。また、理解度確認演習は資料持込可で行う。
授業計画・課題
| 授業計画 | 課題 | |
|---|---|---|
| 第1回 | 半導体加工プロセスに要求される条件と光露光の基礎 | 位相シフト法の有無による回折像の計算 |
| 第2回 | 露光の現状・これからと電子ビーム露光 | 電子ビーム露光での簡単な近接効果補正の計算 |
| 第3回 | 短チャネル効果と不純物層 | コンタクト抵抗評価方法 |
| 第4回 | スケーリングとデバイス性能および酸化膜 | SiO2膜厚計算 |
| 第5回 | 歪シリコン・マルチゲート、結晶成長SOI エッチング | Siの異方性エッチング |
| 第6回 | 最近のメモリ構造、配線速度遅延、TSV、堆積法 | 配線遅延の計算 |
| 第7回 | 理解度確認演習 |
授業時間外学修（予習・復習等）
学修効果を上げるため，教科書や配布資料等の該当箇所を参照し，「毎授業」授業内容に関する予習と復習（課題含む）をそれぞれ概ね100分を目安に行うこと。
教科書
特になし
参考書、講義資料等
随時OCW-iで配布する。
成績評価の基準及び方法
各半導体プロセスの理解を元に成績評価を行う。各演習20％および理解度確認演習80%で評価する。
関連する科目
- EEE.D351 ： 電子デバイス第一
- EEE.D352 ： 電子デバイス第二
履修の条件(知識・技能・履修済科目等)
特になし
