2020年度 電子デバイス第二   Electron Devices II

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開講元
電気電子系
担当教員名
角嶋 邦之 
授業形態
講義
メディア利用
Zoom
曜日・時限(講義室)
月1-2(S224)  
クラス
-
科目コード
EEE.D352
単位数
1
開講年度
2020年度
開講クォーター
2Q
シラバス更新日
2020年4月30日
講義資料更新日
-
使用言語
日本語
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講義の概要とねらい

集積回路の性能向上はMOSデバイスの微細化によってなされています。そのため、微細化限界を打破する新しい技術が継続的に導入されています。本講義では先端MOSデバイスのスケーリング則を基に、新構造や新材料導入による高性能化について学び、新原理に基づくMOSデバイスの可能性について議論します。また、先端微細メモリ、先端イメージセンサについて理解することを目的とします。

到達目標

先端MOSデバイスのスケーリング則を基に新構造、新材料導入による高性能化技術について理解できるようになることを目標にします。

対応する学修到達目標は、
(1) 【専門力】基盤的な専門力
(4) 【展開力】(探究力又は設定力)整理及び分析できる力
(7) 幅広い専門知識を習得し,より高度な専門分野や他分野に自ら学修を広げる力

実務経験のある教員等による授業科目等

-

キーワード

MOSFET, 3D channel, high mobility channel, memory, image sensors

学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)

専門力 教養力 コミュニケーション力 展開力(探究力又は設定力) 展開力(実践力又は解決力)
・電気電子分野の応用専門力

授業の進め方

配布資料を基に最近のMOSデバイスとその応用について概説する。各授業の最後に小テストを実施する。(初回はなし)

授業計画・課題

  授業計画 課題
第1回 微細MOSデバイスとスケーリング則 スケーリング則の理解
第2回 微細MOSデバイスとその課題 短チャネル効果, バリスティック伝導
第3回 微細MOSデバイス(1): 立体構造 FinFET, Si nanowire FET
第4回 微細MOSデバイス(2):高移動度チャネル 高移動度チャネル
第5回 新原理に基づくMOSデバイス Tunnel FET, negative capacitances
第6回 微細メモリデバイス:SRAM, DRAM, Flashとその他のメモリ SRAM, DRAM, Flash memory
第7回 CMOSイメージセンサ CMOS image sensor

教科書

指定なし

参考書、講義資料等

タウア・ニン 最新VLSIの基礎, 第2版, Yuan Taur, Tak H. Ning, 丸善出版

成績評価の基準及び方法

微細MOSデバイスの理解を授業最後の行う小テストを通じて評価する。授業内容に留まらず電磁気学と材料物性、数学等の基礎知識も求める。第2回から第7回の授業で小テストを実施し、その合計点で評価する。期末試験は実施しない。

関連する科目

  • ZIB.C403 : 半導体電子物性

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

電磁気学

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