2019年度 電力デバイス   Power devices

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開講元
電気電子系
担当教員名
波多野 睦子 
授業形態
講義
曜日・時限(講義室)
金7-8(S224)  
クラス
-
科目コード
EEE.D381
単位数
1
開講年度
2019年度
開講クォーター
3Q
シラバス更新日
2019年3月18日
講義資料更新日
-
使用言語
日本語
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講義の概要とねらい

電力エネルギーの変換・制御の効率化が,グリーン・イノベーションの推進に大きな貢献を果たします。パワーデバイスは,スマートグリッド、再生可能エネルギー、電気自動車、鉄道など,社会インフラでのキーデバイスです。人間の身体に例えると,CPUやメモリは「頭脳」であり,パワーエレクトロニクスは「心臓」に相当します。本講義により, パワーデバイスの性能を決定するデバイス物理を学んだ後,pin-ダイオード,サイリスタ,パワーMOS FET, 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの各種デバイス構造と動作原理,ワイドギャップ半導体デバイスの特徴を理解し,さらにパワーエレクトロニクスに応用するための基礎を学びます。

到達目標

【到達目標】 本講義を履修することによって,電力の変換と制御を効率よく行うためのパワーデバイスのデバイス物理とデバイス動作を考えることができるようになること,パワーエレクトロニクスに応用できるようになることを到達目標とします。
【テーマ】 本講義では,パワーデバイスの性能を決定するデバイス物理を学んだ後,パワーダイオード,サイリスタ,パワーMOS FET, 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの各種デバイス構造と動作原理,ワイドギャップ半導体デバイスの特徴を理解し,さらにパワーエレクトロニクスに応用するための基礎を築くことを目的とします。

対応する学修到達目標は、
(1) 【専門力】基盤的な専門力
(4) 【展開力】(探究力又は設定力)整理及び分析できる力
(7) 幅広い専門知識を習得し,より高度な専門分野や他分野に自ら学修を広げる力

キーワード

パワーデバイス、電力変換、スマートグリッド、IGBT, ワイドギャップ半導体

学生が身につける力

国際的教養力 コミュニケーション力 専門力 課題設定力 実践力または解決力
- - -

授業の進め方

毎回の講義の前半で,復習を兼ねて前回の演習問題の解答を解説します。講義の後半で,その日の教授内容に関する演習問題に取り組んでもらいます。各回の学習目標をよく読み,課題を予習・復習で行って下さい。

授業計画・課題

  授業計画 課題
第1回 CO2削減とパワーデバイスの役割 エネルギー問題とパワーエレクトロニクス,パワーデバイスを理解し演習問題が解けるようになる
第2回 パワーデバイスとデバイス物理 パワーデバイスとデバイス物理を理解し演習問題が解けるようになる
第3回 pin ダイオード  パワーダイオードを理解し演習問題が解けるようになる
第4回 サイリスタ サイリスタを理解し演習問題が解けるようになる
第5回 パワーMOS トランジスタ パワーMOS FETを理解し演習問題が解けるようになる
第6回 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタを理解し演習問題が解けるようになる
第7回 ワイドギャップ半導体パワーデバイス ワイドギャップ半導体パワーデバイスを理解し演習問題が解けるようになる
第8回 パワーエレクトロニクスへの応用,理解度確認総合演習 パワーエレクトロニクスへの応用を理解し演習問題が解けるようになる。 第1回から第8回までの理解度確認と到達度自己評価

教科書

特になし。

参考書、講義資料等

授業で扱う全ての資料は、事前にOCW-iにアップする。
Stefan Linder “POWER SEMICONDUCTORS“ EPFL Press
Josef Lutz “Semiconductor Power Devices: Physics, Characteristics, Reliability“ Springer

成績評価の基準及び方法

パワーデバイスの物理,構造、動作原理,特性、応用に関する理解度を評価する。試験(70%),演習(30%)で成績を評価する。

関連する科目

  • EEE.D351 : 電子デバイス第一
  • EEE.D352 : 電子デバイス第二
  • EEE.D391 : 半導体加工プロセス
  • EEE.D211 : 半導体物性
  • EEE.P311 : パワーエレクトロニクス

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

履修条件は特に設けないが,関連する科目(特に電子デバイス)の知識があることが望ましい。

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