集積回路の性能向上はMOSデバイスの微細化によってなされていますが、微細化限界を打破する新しい技術が継続的に導入されています。本講義では先端MOSデバイスのスケーリング則を基に新構造、新材料導入による高性能化について学び、新原理に基づくMOSデバイスの可能性について議論します。また、先端微細メモリ、先端イメージセンサについて理解することを目的とします。
先端MOSデバイスのスケーリング則を基に新構造、新材料導入による高性能化技術について理解できるようになることを目標にします。
MOSFET, 3D channel, high mobility channel, memory, image sensors
✔ 専門力 | 教養力 | コミュニケーション力 | 展開力(探究力又は設定力) | 展開力(実践力又は解決力) |
配布資料を基に最近のMOSデバイスとその応用について概説する。各授業の最後に小テストを実施する。(初回はなし)
授業計画 | 課題 | |
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第1回 | 微細MOSデバイスとスケーリング則 | スケーリング則の理解 |
第2回 | 微細MOSデバイスとその課題 | 短チャネル効果, バリスティック伝導 |
第3回 | 微細MOSデバイス(1): 立体構造 | FinFET, Si nanowire FET |
第4回 | 微細MOSデバイス(2):高移動度チャネル | 高移動度チャネル |
第5回 | 新原理に基づくMOSデバイス | Tunnel FET, negative capacitances |
第6回 | 微細メモリデバイス:SRAMとDRAM | SRAM, DRAM |
第7回 | 微細メモリデバイス:FlashとReRAM | Flash, ReRAM |
第8回 | CMOSイメージセンサ | CMOS image sensor |
タウア・ニン 最新VLSIの基礎, 第2版, Yuan Taur, Tak H. Ning, 丸善出版
タウア・ニン 最新VLSIの基礎, 第2版, Yuan Taur, Tak H. Ning, 丸善出版
微細MOSデバイスの理解を試験を通じて評価する。知識に留まらず静電気と材料物性の理解度を求める。
小テストは、第2回から第8回の授業で実施、その合計点で評価する。
電磁気学