- 開講元
- 電気電子系
- 担当教員名
- 角嶋 邦之
- 授業形態
- 講義
- メディア利用科目
- 曜日・時限(講義室)
- 金5-6(S223)
- クラス
- -
- 科目コード
- EEE.D352
- 単位数
- 1
- 開講年度
- 2018年度
- 開講クォーター
- 2Q
- シラバス更新日
- 2018年3月20日
- 講義資料更新日
- -
- 使用言語
- 日本語
- アクセスランキング
-
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講義の概要とねらい
集積回路の性能向上はMOSデバイスの微細化によってなされていますが、微細化限界を打破する新しい技術が継続的に導入されています。本講義では先端MOSデバイスのスケーリング則を基に新構造、新材料導入による高性能化について学び、新原理に基づくMOSデバイスの可能性について議論します。また、先端微細メモリ、先端イメージセンサについて理解することを目的とします。
到達目標
先端MOSデバイスのスケーリング則を基に新構造、新材料導入による高性能化技術について理解できるようになることを目標にします。
キーワード
MOSFET, 3D channel, high mobility channel, memory, image sensors
学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)
| ✔ 専門力 | 教養力 | コミュニケーション力 | 展開力(探究力又は設定力) | 展開力(実践力又は解決力) |
授業の進め方
配布資料を基に最近のMOSデバイスとその応用について概説する。各授業の最後に小テストを実施する。(初回はなし)
授業計画・課題
| 授業計画 | 課題 | |
|---|---|---|
| 第1回 | 微細MOSデバイスとスケーリング則 | スケーリング則の理解 |
| 第2回 | 微細MOSデバイスとその課題 | 短チャネル効果, バリスティック伝導 |
| 第3回 | 微細MOSデバイス(1): 立体構造 | FinFET, Si nanowire FET |
| 第4回 | 微細MOSデバイス(2):高移動度チャネル | 高移動度チャネル |
| 第5回 | 新原理に基づくMOSデバイス | Tunnel FET, negative capacitances |
| 第6回 | 微細メモリデバイス:SRAMとDRAM | SRAM, DRAM |
| 第7回 | 微細メモリデバイス:FlashとReRAM | Flash, ReRAM |
| 第8回 | CMOSイメージセンサ | CMOS image sensor |
教科書
タウア・ニン 最新VLSIの基礎, 第2版, Yuan Taur, Tak H. Ning, 丸善出版
参考書、講義資料等
タウア・ニン 最新VLSIの基礎, 第2版, Yuan Taur, Tak H. Ning, 丸善出版
成績評価の基準及び方法
微細MOSデバイスの理解を試験を通じて評価する。知識に留まらず静電気と材料物性の理解度を求める。
小テストは、第2回から第8回の授業で実施、その合計点で評価する。
関連する科目
- ZIB.C403 ： 半導体電子物性
履修の条件(知識・技能・履修済科目等)
電磁気学
