国立大学法人 東京工業大学

講義の概要とねらい

　本講義では、先端機能電子デバイスに関する動作原理とその応用に向けた課題とキー技術について扱う。特に、スピン量子機能デバイス、パワーデバイス、薄膜デバイス（ディスプレイ、大面積センサ）について、材料、物性、プロセス、デバイスの観点から、その物理と基盤技術を学ぶ。さらに実用化にどのようにして特徴を活かすかについて、応用技術を議論する。
　先端機能電子デバイスは、環境エネルギー、医療生体応用、情報通信の分野におけるイノベーション創出を支える重要なデバイスである。まず半導体デバイス物理の基礎を学んだ後、先端機能電子デバイスとその応用を議論する。発表や演習、議論も含めてインタラクティブな講義を行うことで、その理解を深める。

到達目標

　本講義を履修することによって次の能力を修得する。
（１）先端機能電子デバイスの動作原理を記述できるようになる
（２）その応用に向けた課題とキー技術について説明できるようになる
（３）特に、スピン量子機能デバイス、パワーデバイス、薄膜デバイス（ディスプレイ、大面積センサ）について、材料、物性、プロセス、デバイスの観点から、その物理と基盤技術を説明できるようになる

キーワード

スピン量子機能デバイス、パワーデバイス、薄膜デバイス、ディスプレイ、大面積センサ

学生が身につける力(ディグリー・ポリシー)

授業の進め方

本講義はライブ型で実施します。講義のはじめに，宿題の演習問題について解説します。講義中に，その日の教授内容に関する演習問題に取り組んでもらいます。講義中に，質疑応答を行います。各回の学習目標をよく読み，予習・復習を行って下さい。

授業計画・課題

授業時間外学修（予習・復習等）

学修効果を上げるため，教科書や配布資料等の該当箇所を参照し，「毎授業」授業内容に関する予習と復習（課題含む）をそれぞれ概ね100分を目安に行うこと。

教科書

Simon M. Sze: "Semiconductor Devices: Physics and Technology" Wiley, 2001.
B. Jayant Baliga: “Fundamentals of Power Semiconductor Devices”, Springer-Verlag. 2008.

参考書、講義資料等

Y. Taur and T. H. Ning: “Fundamentals of Modern VLSI Devices”, Cambridge, 1998.

成績評価の基準及び方法

プレゼンテーションを含む期末レポート（70％程度）および演習点（30％程度）を合計し、総合的に評価．

関連する科目

• EEE.D201 ： 量子力学
• EEE.D211 ： 半導体物性
• EEE.D351 ： 電子デバイス第一

履修の条件(知識・技能・履修済科目等)

履修条件は特に設けないが，関連する科目（量子力学、半導体物性、電子デバイス）の知識があることが望ましい。