- 使用教室
- 火1-4(G321)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 89044
- シラバス更新日
- 2013年3月21日
- 講義資料更新日
- 2013年3月21日
- 学期
- 前期
講義概要
最先端の電子デバイスや集積回路に利用されているシリコン，高誘電率材料，強誘電体などの基礎物性や作製プロセスについて論じる。さらに，最新の大規模集積回路の作製に用いられる極微細加工技術について，物理的基礎から将来展望までを論じる。「VLSI工学Ⅱ」と連動して講義を行う。
講義の目的
最先端の電子デバイスや集積回路に利用されているシリコン，高誘電率材料，強誘電体などの基礎物性や作製プロセスについて論じる。さらに，最新の大規模集積回路の作製に用いられる極微細加工技術について，物理的基礎から将来展望までを論じる。「VLSI工学Ⅱ」と連動して講義を行う。
講義計画
１． 集積回路のプロセス技術I（集積回路プロセス組み立て）
２． 集積回路のプロセス技術II （酸化、拡散、リソグラフィー、エッチング、デポジションなど）
３． ロジックデバイス技術I （CMOS微細化技術）
４． ロジックデバイス技術II （CMOS性能向上技術）
５． メモリデバイス技術I （ROM、DRAM、SRAM）
６． メモリデバイス技術II （フラッシュメモリ、強誘電体メモリ、MRAM、その他
教科書・参考書等
特に指定しない。プリントを配布する。
関連科目・履修の条件等
物理電子システム基礎論I、VLSI工学II
成績評価
試験およびレポートで評価する。
担当教員の一言
シリコン集積回路は今やあらゆるところに利用されています。本講義ではその基礎から最近のトピックスまで紹介します。
その他
担当教員：
○ 岩井 洋 教授 ： すずかけ台 J2棟1206号室 （内線5471）
E-mail: iwai.h.aa[atmark]m.titech.ac.jp
杉井 信之 連携教授 ：
徳光 永輔 准教授：すずかけ台 R2棟 716号室（内線5084）
E-mail: tokumitu[atmark]neuro.pi.titech.ac.jp
