- 使用教室
- 火5-6(J231)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 97005
- シラバス更新日
- 2011年9月20日
- 講義資料更新日
- 2011年9月20日
- 学期
- 後期
講義概要
先端的エレクトロニクス，磁性デバイスにおける代表的事例を取り上げ，電荷，スピンなどのキャリアと物性の発現との関連，作製プロセスとデバイスの特性などのケーススタディを通して，材料・デバイス開発のための基礎学力を養成することを目的とする。
講義の目的
シリコン，化合物半導体などのＶＬＳＩ ，太陽電池，強誘電体メモリー、磁性エレ クトロニク
ス材料をはじめ，導電性，超伝導性，強磁性を示す各種先端デバイス機能材料について講義する．
高機能材料の作製法から，デバイス化へのプロセス技術，特性評価法を中心に，デバイスの動作
原理と材料に要求される基礎物性や微細加工化との関連を考察する．
講義計画
１ ．半導体概論
２ ．半導体デバイス合成
３ ．酸化物概論
４ ．酸化物デバイス合成
５ ．磁性概論
６ ．磁性デバイス合成
教科書・参考書等
特になし．
関連科目・履修の条件等
特になし．
成績評価
授業中の各自のプレゼンテーションと演習等から総合的に評価する．試験はなし．
担当教員の一言
先端デバイス領域に不可欠な半導体・酸化物・磁性体等をとりあげ，デバイス面から 物質を見
る講義である．前期の先端機能デバイス特論I とは異なり，インタラクティブな授業を目指し
ます．
