バイポーラトランジスタ、化合物半導体デバイス及び半導体プロセス Bipolar transistors.Compound semiconductor devices and Semiconductor processes

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担当教員: 宮本恭幸

使用教室: 月3-4(S512)

単位数: 講義：2 演習：0 実験：0

講義コード: 55007

シラバス更新日: 2012年9月28日

講義資料更新日: 2012年9月21日

学期: 後期

概要

講義概要

本講義では，ＭＯＳ以外の高速電子デバイスとして，バイポーラデバイスや化合物半導体デバイスの動作とその高速化の条件を学ぶ。また高速化実現を可能にするための微細デバイス作製のプロセス技術について，その原理と限界も示す。
学部において「電子デバイス」「半導体物性」「基礎電気回路」を，履修していることを前提として講義を行う。

講義の目的

本講義では，ＭＯＳ以外の高速電子デバイスとして，バイポーラデバイスや化合物半導体デバイスの動作とその高速化の条件を学ぶ。また高速化実現を可能にするためのプロセス技術について，その原理と限界も示す。
デバイス・プロセスの双方での最先端技術までを言及する。

講義計画

01. イントロダクションと熱拡散における輸送方程式と熱拡散／酸化膜成長
02. バイポーラトランジスタの基本特性説明
03. バイポーラトランジスタの高濃度条件下での動作
04. コレクタ層での効果
05. 等価回路
06. 大振幅動作時のモデル
07. エピタキシャル成長
08. 化合物半導体とヘテロ接合バイポーラトランジスタ
09. 化合物半導体電界効果トランジスタ
10. 電子／イオン／フォトンビーム
11. 化学反応（露光／現像／堆積／エッチング）
12. 電極／絶縁物／平坦化

教科書・参考書等

資料は担当教員のホームページよりダウンロード。第一回分は配付もする。
参考書：タウア・ニン『最新ＶＬＳＩの基礎』丸善
（但し，この本はバイポーラデバイス部分の一部のみ向けである。）

成績評価

レポートによって演繹／計算能力を，試験（持ち込み可）によってデバイス／技術の理解度を評価する．成績はレポート50％、試験50％で採点を行う。）

担当教員の一言

多くの集積回路は殆どＭＯＳトランジスタによって構成されているものの，バイポーラデバイスや化合物半導体デバイスは，その本質的な高速性から，依然重要なデバイスである。また，半導体デバイス高性能化はプロセスの進歩によるものであることを理解して欲しい。

連絡先（メール、電話番号）

E-mail:miya＠pe.titech.ac.jp
Tel:03-5734-2572

オフィスアワー

質問／議論は随時歓迎．
ただし訪問時は電話あるいはにてアポイントを取る事が望ましい．