- 使用教室
- 木1-2(S322)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 50117
- シラバス更新日
- 2011年12月28日
- 講義資料更新日
- 2011年12月28日
- アクセス指標
-
- 学期
- 後期
講義概要
エレクトロニクスの急速な進展と共に，高密度記録材料，分子機能材料，量子波材料などの先端電子材料が注目されている。そこで，本講義では，最近の先喘材料についての動向を紹介しながら，これらの材料が半導体物性，磁性体・誘電体物性，量子物性を基礎としてどのように進展しているかを学ぶ。
特に，磁気・光記録，分子膜，生体材料，半導体超薄膜，アモルファス材料などエレクトロニクスに関係の深い話題を取上げる。
講義の目的
エレクトロニクスの急速な進展と共に，高密度記録材料，分子機能材料，超高速半導体材料，光電変換材料などの先端電子材料が注目されている。そこで，本講義では，最近の先端材料についての動向を紹介しながら，これらの材料が半導体物性，磁性体・誘電体物性，量子物性を基礎としてどのように進展しているかを学ぶ。特に，磁気・光記録，分子膜，生体材料，半導体超薄膜，アモルファス材料などエレクトロニクスに関係の深い話題を扱う。
講義計画
10月6日 有機電子材料I （岩本）
10月13日 有機電子材料II （岩本）
10月20日 半導体ナノ材料I （山田（明））
11月10日 半導体ナノ材料II（山田（明））
11月17日 生体電子材料I （中本）
11月24日 生体電子材料II （中本）
12月1日 磁気記録素子用材料I （中川）
12月8日 磁気記録素子用材料II （中川）
12月15日 有機デバイス（FET、EL、太陽電池）用材料I（間中）
12月22日 有機デバイス（FET、EL、太陽電池）用材料II（間中）
1月5日 半導体光電材料，太陽電池材料，アモルファス半導体I （小長井）
1月12日 半導体光電材料，太陽電池材料，アモルファス半導体II （小長井）
1月19日 分子フォトニクスI （大友，山田（俊））
1月26日 分子フォトニクスII （大友，山田（俊））
2月2日 分子フォトニクスIII （大友，山田（俊））
教科書・参考書等
特になし。
関連科目・履修の条件等
特になし。
成績評価
レポート
その他
【オフィスアワー】
メールにて事前に連絡
小長井：konagai＠pe.titech.ac.jp，岩本：iwamoto＠pe.titech.ac.jp，山田（明）：yamada＠pe.titech.ac.jp，
大友：akira_o＠nict.go.jp，中本：nakamoto＠mn.ee.titech.ac.jp，中川：nakagawa＠pe.titech.ac.jp，
間中：manaka＠pe.titech.ac.jp，山田（俊）：toshiki＠nict.go.jp
