- 担当教員
- 徳光 永輔
- 使用教室
- 木7-8(S321)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 50130
- シラバス更新日
- 2008年10月3日
- 講義資料更新日
- 2008年10月3日
- 学期
- 後期
講義概要
MOSFET，IGBT（Insulated－Gate Bipolar Transistor），GTO，サイリスタなどのパワー半導体デバイスの構造，動作原理，特性，設計理論について講義する。特に，デバイス構造・設計に着目し，信号処理を目的とした半導体デバイスとパワーデバイスの相違点を論じ，その基本設計法の習得をはかる。さらに，次世代の半導体材料として注目されているシリコンカーバイド（SiC）と，そのパワー半導体デバイスへの応用の可能性についても講述し，将来の発展方向を示す。
講義の目的
MOSFET ，IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)，GTO サイリスタなどのパワー半導体デバイスの構造，動作原理，特性，設計理論について講義し、受講生はパワーデバイスの物理理解と基本設計が出来るようにする。特に，デバイス構造・設計に着目し、信号処理を目的とした半導体デバイスとパワーエレクトロニクス装置に使うパワーデバイスの相違点を論じる。さらに，次世代の半導体材料として注目されているシリコンカーバイド(SiC)と、そのパワー半導体デバイスへの応用の可能性についても講述する。
講義計画
01.パワーデバイスの基礎理論
02.デバイス理論適用の実際
03.ダイオード
04.バイポーラトランジスタ
05.サイリスタ
06.MOS ゲートデバイス
07.限界特性と破壊
08.パワーデバイスの展望
教科書・参考書等
プリントを配布する。
関連科目・履修の条件等
学部の「半導体物性」，「電子デバイス」，「パワーエレクトロニクス」などの関連科目を受講していることが望ましい。
成績評価
メイル（tokumitu@neuro.pi.titech.ac.jp）で予約し随時OK
担当教員の一言
応用分野を目指す学生がデバイス技術者と議論ができるレベルに到達する講義をする。
