- 担当教員
- 宮本 恭幸
- 使用教室
- 月3-4(S512)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 50119
- シラバス更新日
- 2008年10月3日
- 講義資料更新日
- 2008年10月3日
- 学期
- 後期
講義概要
本講義では，MOS以外の高速電子デバイスとして，バイポーラデバイスや化合物半導体デバイスの動作とその高速化の条件を学ぶ。また高速化実現を可能にするための微細デバイス作製のプロセス技術について，その原理と限界も示す。学部において「電子デバイス」「半導体物性」「基礎電気回路」を，履修していることを前提として講義を行う。
講義の目的
本講義では，ＭＯＳ以外の高速電子デバイスとして，バイポーラデバイスや化合物半導体デバイスの動 作とその高速化の条件を学ぶ．また高速化実現を可能にするためのプロセス技術について，その原理と 限界も示す．デバイス・プロセスの双方での最先端技術までを言及する．
講義計画
01.イントロダクションと熱拡散における輸送方程式と熱拡散／酸化膜成長
02.バイポーラトランジスタの基本特性説明
03.バイポーラトランジスタの高濃度条件下での動作
04.コレクタ層での効果
05.等価回路
06.大振幅動作時のモデル
07.エピタキシャル成長
08.化合物半導体とヘテロ接合バイポーラトランジスタ
09.化合物半導体電界効果トランジスタ
10.電子／イオン／フォトンビーム
11.化学反応（露光／現像／堆積／エッチング）
12.電極／絶縁物／平坦化
教科書・参考書等
資料は担当教員のホームページよりダウンロード．第一回分は配付もする．
参考書等
参考書：タウア・ニン “最新ＶＬＳＩの基礎” 丸善
（但し，この本はバイポーラデバイス部分の一部のみ向けである．）
関連科目・履修の条件等
学部において「基礎電気回路」「電子デバイス」「半導体物性」を，
大学院において「半導体デバイス特論Ⅰ」を，履修していることを前提として講義を行う．
（なお，「半導体デバイス特論Ⅰ」が現在開講されていないが，その間は半導体プロセスの必要性の基礎となるＣＭＯＳスケーリングについても講義第一回で述べる．）
成績評価
レポートによって演繹／計算能力を，試験（持ち込み可）によってデバイス／技術の理解度を評価する．
担当教員の一言
多くの集積回路は殆どＭＯＳトランジスタによって構成されているものの，バイポーラデバイスや化合 物半導体デバイスは，その本質的な高速性から，依然重要なデバイスである．また，半導体デバイス高 性能化はプロセスの進歩によるものであることを理解して欲しい．
