- 使用教室
- 月7-8(H121)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 7135
- シラバス更新日
- 2015年4月21日
- 講義資料更新日
- 2015年3月16日
- 学期
- 前期 / 推奨学期：5
講義概要
半導体物性を基礎にして，電子デバイス（半導体デバイス）の動作原理を学ぶ．pn接合からスタートし，バイポーラトランジスタ，MOSダイオードとMOSトランジスタについて学習する．デバイス性能の評価指標，性能を向上するための方法，性能向上の制限要因についても学習する．これらに加えてメモリ（DRAMや不揮発性メモリなど）やパワーデバイスについても紹介する．MOSトランジスタや集積回路作製プロセスの基礎についても紹介する．
講義の目的
電子デバイスには様々な種類が存在するが，集積回路の基本構成要素である「MOSトランジスタ」と「バイポーラトランジスタ」を主として取り扱う．
バンド構造に基づいた電子デバイスの動作，回路動作理解への橋渡しである等価回路について理解する．MOSトランジスタは一括で多数のデバイスを高歩留まりで作製でき集積回路を構成できるところに特徴があることを理解する．デバイス設計や集積回路性能向上の考え方を学ぶ．
講義計画
01.pn接合の復習
02.半導体デバイスと集積回路
03.バイポーラトランジスタ（Ⅰ）：構造と理想I-V特性
04.バイポーラトランジスタ（Ⅱ）：等価回路モデル
05.バイポーラトランジスタ（Ⅲ）：デバイス設計
06.バイポーラトランジスタ（Ⅳ）：動作速度
07.MOSダイオード
08.中間試験
09.MOSトランジスタ（Ⅰ）：構造と基本I-V特性
10.MOSトランジスタ（Ⅱ）：スケーリング，短チャネル効果
11.MOSトランジスタ（Ⅲ）：動作速度
12.MOSトランジスタ（Ⅳ）：CMOS基本回路
13.MOSトランジスタ（Ⅴ）：作製プロセス
14.メモリデバイス，パワーデバイス
15.期末試験
教科書・参考書等
宮本恭幸 『電子デバイス』 培風館
筒井一生 『よくわかる電子デバイス』 オーム社
関連科目・履修の条件等
線形回路，半導体物性の履修を前提に講義を行う．
成績評価
中間試験：約45％，期末試験：約45％，宿題：約10％
担当教員の一言
わからないことがあれば気軽に質問して下さい．電子メールでも受付けます．
