- 担当教員
- 大見 俊一郎
- 使用教室
- 月7-8(S011)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 7134
- シラバス更新日
- 2012年3月26日
- 講義資料更新日
- 2012年3月26日
- 学期
- 前期 / 推奨学期：5
講義概要
I 半導体デバイスの基本を学ぶ。半導体の物性を基礎にしてデバイス機能を得るための仕掛け（動作原理），回路内に組み込まれた時に発揮される特性を理解する。さらには「デバイスとは何か？」を考える。
II トランジスタの機能，MOSFETとバイポーラトランジスタ（動作原理，直流動作，動作速度，性能指数，等価回路モデル，スケーリングなど），その他の電子デバイス。
講義の目的
電子デバイスには様々な種類が存在するが，現在広く利用されている「MOSトランジスタ」と「バイポーラトランジスタ」を主として取り扱う．近年の電子製品の大きな流れはアナログからデジタルへの転換である．その転換をここ数年担ってきた撮像素子（デジタルカメラの基本素子）と不揮発性メモリ（携帯音楽プレーヤーやデジタルカメラに必須の素子）についても述べる．これらのデバイスの学習を通して，デバイスの動作をバンド構造に基づいて理解すること，等価回路を通して理解することを学ぶ．
講義計画
01. 半導体物性の復習：バンド構造，少数キャリア注入
02. pn接合（Ⅰ）：空間電荷領域とCV特性
03. pn接合（Ⅱ）：キャリア注入とIV特性
04. MOS容量
05. MOSトランジスタ（Ⅰ）：構造と基本IV特性
06. MOSトランジスタ（Ⅱ）：スケーリング，短チャネル効果
07. MOSトランジスタ（Ⅲ）：動作速度
08. 中間試験
09. MOSトランジスタ（Ⅳ）：CMOS基本回路
10. MOSトランジスタ（Ⅴ）：作製プロセス
11. バイポーラトランジスタ（Ⅰ）：構造と理想IV特性
12. バイポーラトランジスタ（Ⅱ）：等価回路モデル
13. バイポーラトランジスタ（Ⅲ）：デバイス設計・動作速度
14. 撮像デバイス，パワーデバイス
15. 不揮発性メモリ
教科書・参考書等
宮本恭幸 『電子デバイス』 培風館
筒井一生 『よくわかる電子デバイス』 オーム社
関連科目・履修の条件等
線形回路，半導体物性の履修を前提に講義を行う。
成績評価
中間試験：約45％，期末試験：約45％，宿題/講義中の課題：約10％
担当教員の一言
わからないことがあれば気軽に質問して下さい．電子メールでも受付けます．
uchidak@ssn.pe.titech.ac.jp（ａクラス）
その他
【オフィスアワー】
いつでも可。
ただし事前に電話もしくは電子メールで連絡して下さい。
