- 担当教員
- 宮本 恭幸
- 使用教室
- 火5-6(S638)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 7135
- シラバス更新日
- 2008年7月8日
- 講義資料更新日
- 2008年7月8日
- 学期
- 前期 / 推奨学期：-
講義概要
Ⅰ 半導体物性を基礎にして，デバイス機能を得るための仕掛け（動作原理），回路内に組み込まれた時に発揮される特性に対する理解を得ることを目的とする。
Ⅱ バイポーラトランジスタ，サイリスタ，MOSダイオード，MOSFET，JFET，MESFET，CCDの動作原理，等価回路などについて講義する。
講義の目的
半導体デバイスの基本を学ぶ。半導体の物性を基礎にしてデバイス機能を得るための仕掛け（動作原理）、回路内に組み込まれた時に発揮される特性を理解する。さらには「デバイスとは何か？」を考える。
講義計画
第1回 トランジスタの増幅とはなにか/MOSFETの概略とMOS構造における反転層の形成
半導体中の電子の挙動
第2回 MOSFET ピンチオフの説明・直流特性
第3回 MOSFET 高速動作
第4回 MOSFET しきい値電圧
第5回 MOSFET スケーリング
中間試験
第6回 pn接合
第7回 バイポーラトランジスタのコレクタ電流とベース電流 (注入効率と輸送効率)
第8回 バイポーラトランジスタ：等価回路モデル
第9回 バイポーラトランジスタ：コレクタの設計
第10回 バイポーラトランジスタ：速度の推定
第11回 パワーデバイス
第12回 JFET・MESFET・CCD・HEMT
第13回 ヘテロ接合とHEMT・HBT
教科書・参考書等
参考書／古川静二郎著：半導体デバイス (コロナ社)／タウア・ニン 最新VLSIの基礎（丸善）
関連科目・履修の条件等
「線形回路」「半導体物性」を履修していること。
成績評価
中間試験，期末試験、および宿題
担当教員の一言
バンド構造図を常に頭に描きながら、半導体中を電子と正孔がどのように動き、どのように増幅作用等が現れるのかを理解して下さい。わからないことがあれば気軽に質問して下さい。電子メールでも受付けます。宮本 (miya@pe.titech.ac.jp)
その他
【オフィスアワー】
いつでも可。ただし事前に電話もしくは電子メールで連絡して下さい。
