- 担当教員
- SANDHU ADARSH
- 使用教室
- 月7-8(S621)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 7127
- シラバス更新日
- 2008年10月6日
- 講義資料更新日
- 2008年10月6日
- 学期
- 後期 / 推奨学期：-
講義概要
I 半導体の入門として，物質の構造，固体内電子の状態などについて学んだ後，固体の電気伝導理論，分布則について学習する。さらに，半導体中の電気伝導現象の基礎である，キャリア連続の方程式について応用を通して学習する。
II (1) 結晶構造（結晶の並進対称性，ブラベー格子，ミラー指数） (2) 固体のバンド構造の基礎（水素原子，分子から固体，金属・半導体・絶縁体） (3) 固体のバンド構造 I（無限のポテンシャルに閉じ込められた電子） (4) 固体のバンド構造 II（周期構造中の電子，許容帯，禁制帯，有効質量，電子と正孔） (5) キャリア（状態密度，分布則，真性キャリア濃度） (6) ドーピング (7) 電気伝導の基礎（ドリフト速度，移動度，導電率，抵抗率） (8) ドリフト電流と拡散電流 (9) バンド図 (10) 少数キャリアの注入と再結合 (11) 少数キャリア連続の方程式 (12) 少数キャリア連続の方程式の応用 (13) pn接合 (14) 金属半導体接合 (15) 半導体の応用
講義の目的
半導体の入門として，物質の構造，固体内電子の状態などについて学んだ後，固体の電気伝導理論，分布則について学習する．
さらに，半導体中の電気伝導現象の基礎である，キャリア連続の方程式について応用を通して学習する．
講義計画
1.結晶構造：結晶の並進対称性，ブラベー格子，ミラー指数
2.固体のバンド構造の基礎：定性論，水素原子，分子から固体，金属・半導体・絶縁体
3.固体のバンド構造I：量子力学の基礎，パウリの排他律，無限のポテンシャルに閉じ込められた電子
4.固体のバンド構造II：周期構造中の電子，許容帯，禁制帯，有効質量，電子と正孔
5.キャリア：状態密度，分布則，真性キャリア濃度
6.ドーピング：ドーピング，電子濃度・正孔濃度，温度特性
7.電気伝導の基礎：ドリフト速度，移動度，導電率，抵抗率
8.ドリフト電流と拡散電流
9.バンド図：電界が有る場合のバンド
10.少数キャリアの注入と再結合 .
11.少数キャリア連続の方程式 .
12.少数キャリア連続の方程式の応用：キャリアの生成消滅，キャリアの拡散，拡散長 .
13.pn接合 .
14.金属半導体接合 .
15.半導体の応用 .
教科書・参考書等
小長井誠 『半導体物性』 培風館．
Robert F. Pierret, “Semiconductor Fundamentals,” Addison-Wesley Publishing. Co.
関連科目・履修の条件等
化学第一，化学第二，電磁気学I，物理学B，量子力学
成績評価
HWリポートと試験による．配点は，演習30点，中間試験35点，期末試験35点．
担当教員の一言
演習などを取り入れ，学生諸君が実際に問題を解けるようになることを目標とする．
