- 担当教員
- 筒井 一生
- 使用教室
- 火5-6(S635)
- 単位数
- 講義：2 演習：0 実験：0
- 講義コード
- 7134
- シラバス更新日
- 2009年8月4日
- 講義資料更新日
- 2009年8月4日
- 学期
- 前期 / 推奨学期：5
講義概要
I 半導体デバイスの基本を学ぶ。半導体の物性を基礎にしてデバイス機能を得るための仕掛け（動作原理），回路内に組み込まれた時に発揮される特性を理解する。さらには「デバイスとは何か？」を考える。
II トランジスタの機能，MOSFETとバイポーラトランジスタ（動作原理，直流動作，動作速度，性能指数，等価回路モデル，スケーリングなど），その他の電子デバイス。
講義の目的
半導体デバイスの基本を学ぶ。
半導体の物性を基礎にしてデバイス機能を得るための仕掛け（動作原理），回路内に組み込まれた時に発揮される特性を理解する。
さらには「デバイスとは何か？」を考える。
講義計画
01. トランジスタの増幅とはなにか／MOSFETの概略と反転層
02. MOSFET：ピンチオフの概念・直流特性
03. MOSFET：インバータと高速動作
04. MOSFET：しきい値電圧
05. MOSFET：スケーリング
06. 中間試験
07. バイポーラトランジスタ：pn接合におけるキャリアの挙動
08. バイポーラトランジスタ：動作原理，ベース電流とコレクタ電流
09. バイポーラトランジスタ：等価回路モデル
10. バイポーラトランジスタ：コレクタの設計
11. バイポーラトランジスタ：動作速度を決める要因
12. その他のデバイス：パワーデバイス
13. その他のデバイス：JFET・MESFET・CCD
14. その他のデバイス：ヘテロ接合とHEMT・HBT
教科書・参考書等
参考書等
筒井一生 『よくわかる電子デバイス』 オーム社
関連科目・履修の条件等
線形回路，半導体物性の履修を前提に講義を行う。
成績評価
中間試験：約45％，期末試験：約45％，宿題：約10％
担当教員の一言
バンド構造図を常に頭に描きながら，半導体中を電子と正孔がどのように動き，どのように増幅作用等が現れるのかを理解して下さい。
わからないことがあれば気軽に質問して下さい。
電子メールでも受付けます。
ktsutsui@ep.titech.ac.jp
その他
【オフィスアワー】
いつでも可。
ただし事前に電話もしくは電子メールで連絡して下さい。
